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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
71
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
28
读取速度,GB/s
2,831.6
14.5
写入速度,GB/s
1,322.6
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2466
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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