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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
59
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
49
读取速度,GB/s
4,833.8
10.9
写入速度,GB/s
2,123.3
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2413
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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