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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
61
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.2
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
61
读取速度,GB/s
4,833.8
8.2
写入速度,GB/s
2,123.3
6.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1813
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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