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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
59
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
55
读取速度,GB/s
4,833.8
9.4
写入速度,GB/s
2,123.3
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2185
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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