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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
59
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.8
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
49
读取速度,GB/s
4,833.8
8.8
写入速度,GB/s
2,123.3
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2331
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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Kingston 9905702-071.A00G 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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