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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,833.8
14.1
写入速度,GB/s
2,123.3
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2388
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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