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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
13.8
写入速度,GB/s
2,123.3
9.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2073
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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