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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB 需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 59
    左右 -69% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2824

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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