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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
14.5
写入速度,GB/s
1,857.7
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2960
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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