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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
4,217.2
14.7
写入速度,GB/s
1,857.7
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2946
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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