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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
69
左右 -283% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
18
读取速度,GB/s
4,217.2
21.4
写入速度,GB/s
1,857.7
18.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3625
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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