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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
4,217.2
18.7
写入速度,GB/s
1,857.7
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3530
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CAS Latency (CL) *
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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