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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
38
读取速度,GB/s
14.4
13.3
写入速度,GB/s
9.5
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2277
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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