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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
12.2
写入速度,GB/s
870.4
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2018
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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