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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
69
左右 -283% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
18
读取速度,GB/s
4,217.2
20.1
写入速度,GB/s
1,857.7
19.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3704
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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