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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
69
左右 -245% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
20
读取速度,GB/s
4,217.2
19.9
写入速度,GB/s
1,857.7
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3558
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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