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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
96
左右 72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
96
读取速度,GB/s
11.8
11.0
写入速度,GB/s
7.3
4.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1062
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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