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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
17.0
写入速度,GB/s
1,857.7
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3637
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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