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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
69
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
36
读取速度,GB/s
4,217.2
10.4
写入速度,GB/s
1,857.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2587
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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