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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
16.3
写入速度,GB/s
1,857.7
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3205
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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