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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
17.5
写入速度,GB/s
1,857.7
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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