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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
4,217.2
12.8
写入速度,GB/s
1,857.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2583
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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