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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
2,936.9
16.3
写入速度,GB/s
1,884.0
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3294
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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