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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
19.8
写入速度,GB/s
1,857.7
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3920
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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