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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
16.3
写入速度,GB/s
1,857.7
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2489
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
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