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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
48
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
33
读取速度,GB/s
8.9
15.5
写入速度,GB/s
5.9
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2854
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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