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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
8.0
17.2
写入速度,GB/s
7.3
12.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3119
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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