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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
4,217.2
16.0
写入速度,GB/s
1,857.7
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3238
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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