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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
17.2
写入速度,GB/s
1,857.7
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3294
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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