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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
69
左右 -25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
55
读取速度,GB/s
4,217.2
16.4
写入速度,GB/s
1,857.7
13.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2612
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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