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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
15.8
写入速度,GB/s
1,857.7
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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