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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
20.3
写入速度,GB/s
1,857.7
18.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3738
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
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