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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
69
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
24
读取速度,GB/s
4,217.2
22.7
写入速度,GB/s
1,857.7
18.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
4202
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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