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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
18.2
写入速度,GB/s
1,857.7
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3535
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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