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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
17.3
写入速度,GB/s
1,857.7
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2968
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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