RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs INTENSO 5641160 8GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
star star star star star
INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
INTENSO 5641160 8GB 需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 69
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    4,217.2 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    1,857.7 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 2613

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

INTENSO 5641160 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
内存RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
内存RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
内存RAM