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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
16.0
写入速度,GB/s
7.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3026
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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