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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB 需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 43
    左右 -65% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 13.7
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2594

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