RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2594
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link