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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2594
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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