RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2594
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link