RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
21.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4043
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link