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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
15.5
写入速度,GB/s
1,857.7
9.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2496
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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