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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
69
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
66
读取速度,GB/s
4,217.2
15.1
写入速度,GB/s
1,857.7
7.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1820
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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