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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905622-057.A00G 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
16.0
写入速度,GB/s
1,857.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2563
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
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