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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9965640-006.A01G 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
4,217.2
11.0
写入速度,GB/s
1,857.7
7.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2220
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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