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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
18.3
写入速度,GB/s
1,857.7
14.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3474
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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