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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
14.4
写入速度,GB/s
1,857.7
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2495
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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