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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
69
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
38
读取速度,GB/s
4,217.2
8.7
写入速度,GB/s
1,857.7
7.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1999
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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