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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
17.8
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3366
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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